El ferromagnetismo a temperatura ambiente en el semiconductor magnético diluido de óxido de zinc (ZnO), de gran tamaño y de banda directa, se atribuye a los defectos intrínsecos y a la interacción de acoplamiento p-orbital-p-orbital (p-p). Sin embargo, debido a la oxidación, el ferromagnetismo inducido por los defectos es inestable. En el presente trabajo, se utilizó la ruta de síntesis del proceso de solución para cultivar muestras prístinas y dopadas con bismuto, basadas en nanocables de ZnO altamente cristalino (ZnO NW). La curva de magnetización (M-H) de todas las muestras mostró el comportamiento ferromagnético a temperatura ambiente. La magnetización de saturación para los bi-dopados es de ±0,25 emu/g y para los no dopados es de ±2,0 emu/g, por lo que la magnetización es casi 10 veces mayor. Los espectros de la espectroscopia de ruptura inducida por láser (LIBS) confirmaron la presencia de elementos dopantes en el ZnO. La difracción de rayos X (XRD) y la Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) mostraron un pronunciado pico 002 a lo largo del eje c, con una cara superior hexagonal, respectivamente.El ensanchamiento del pico XRD se utilizó para estimar el estrés y resultó ser 2,51x10-2 para el ZnO prístino y 5,80x10-2 para el ZnO NWs bi-dopado. UV-Vis mostró el cambio en el ancho de banda del ZnO NWs después del dopaje.